酸化ガリウム（Ga₂O₃）は炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）等の従来のワイドギャップ半導体を超える大きなバンドギャップ値と、同時に高い導電性をあわせもつ事から更なる低損失が期待される新規パワーデバイス材料として注目されている。
そのなかでもα型酸化ガリウムは、京都大学発の非真空プロセスとして注目されているミストCVD法を発展させた新技術『ミストドライ®法』を使って製造された日本発の材料であり、半導体を製造するプロセスにおいても低損失化が期待されている。
本講演では、酸化ガリウムの社会実装による持続可能な社会への貢献、またそれに向けたパワエレ業界への期待等について紹介する。

株式会社FLOSFIA
京都大学発のベンチャー企業で、電力変換用パワー半導体として圧倒的なポテンシャルを有する半導体材料「コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）」を用いた半導体デバイスの事業化に取り組んでいる。